图书介绍
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- 潘桂忠著 著
- 出版社: 上海:上海科学技术出版社
- ISBN:9787532399901
- 出版时间:2010
- 标注页数:434页
- 文件大小:112MB
- 文件页数:447页
- 主题词:MOS集成电路
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图书目录
第1章 PMOS集成电路结构与制造技术1
1.1 铝栅E/E型PMOS结构1
1.2 硅栅E/E型PMOS结构3
1.3 铝栅E/D型PMOS结构5
1.4 硅栅E/D型PMOS结构7
1.5 铝栅E/E型PMOS工艺制程9
1.6 硅栅E/D型PMOS工艺制程12
第2章 NMOS集成电路结构与制造技术17
2.1 E/E型NMOS(A)结构17
2.2 E/E型NMOS(B)结构19
2.3 E/D型NMOS(A)结构21
2.4 E/D型NMOS(B)结构23
2.5 E/D型NMOS(C)结构25
2.6 E/D型NMOS EPROM结构28
2.7 E/D型NMOS EEPROM结构30
2.8 E/D型NMOS DRAM结构32
2.9 E/D型NMOS SRAM结构34
2.10 E/E型NMOS(A)工艺制程36
2.11 E/D型NMOS(A)工艺制程40
2.12 E/D型NMOS(B)工艺制程43
2.13 E/D型NMOS SRAM工艺制程46
第3章 P-Well CMOS集成电路结构与制造技术51
3.1 铝栅P-Well CMOS(A)[薄场]结构51
3.2 铝栅P-Well CMOS(B)[薄场]结构52
3.3 铝栅P-Well CMOS(A)[厚场]结构55
3.4 铝栅P-Well CMOS(B)[厚场]结构57
3.5 铝栅P-Well CMOS(C)[厚场]结构58
3.6 铝栅P-Well CMOS(D)[厚场]结构62
3.7 铝栅P-Well CMOS(E)[厚场]结构64
3.8 硅栅P-Well CMOS(A)结构66
3.9 硅栅P-Well CMOS(B)结构68
3.10 硅栅P-Well CMOS(C)结构70
3.11 硅栅P-Well CMOS(D)结构72
3.12 硅栅P-Well CMOS(E)结构74
3.13 硅栅P-Well CMOS(F)结构76
3.14 铝栅P-Well CMOS(A)[薄场]工艺制程79
3.15 铝栅P-Well CMOS(A)[厚场]工艺制程82
3.16 铝栅P-Well CMOS(C)[厚场]工艺制程86
3.17 硅栅P-Well CMOS(B)工艺制程89
3.18 硅栅P-Well CMOS(C)工艺制程93
3.19 硅栅P-Well CMOS(E)工艺制程96
第4章 N-Well CMOS集成电路结构与制造技术100
4.1 N-Well CMOS(A)结构100
4.2 N-Well CMOS(B)结构102
4.3 N-Well CMOS(C)结构104
4.4 N-Well CMOS(D)结构106
4.5 N-Well CMOS EPROM结构108
4.6 N-Well CMOS EEPROM(A)结构110
4.7 N-Well CMOS EEPROM(B)结构113
4.8 N-Well CMOS Flash(A)结构115
4.9 N-Well CMOS Flash(B)结构117
4.10 N-Well CMOS SRAM结构119
4.11 N-Well CMOS DRAM(A)/(B)结构121
4.12 N-Well CMOS DRAM(C)/(D)结构123
4.13 N-Well CMOS(C)工艺制程126
4.14 N-Well CMOS(D)工艺制程130
4.15 N-Well CMOS EPROM工艺制程134
4.16 N-Well CMOS EEPROM(A)工艺制程137
4.17 N-Well CMOS DRAM(B)工艺制程141
4.18 N-Well CMOS SRAM工艺制程145
第5章 亚微米/深亚微米CMOS集成电路结构与制造技术150
5.1 亚微米Twin-Well CMOS(SMA)结构150
5.2 亚微米Twin-Well CMOS(SMB)结构152
5.3 亚微米Twin-Well CMOS(SMC)结构154
5.4 亚微米Twin-Well CMOS(SMD)结构156
5.5 亚微米CMOS Mask ROM(SMA)结构158
5.6 亚微米CMOS Mask ROM(SMB)结构160
5.7 亚微米CMOS Mask ROM(SMC)结构162
5.8 亚微米CMOS EEPROM结构164
5.9 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMA)结构167
5.10 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMB)结构169
5.11 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMC)结构171
5.12 深亚微米Twin-Well CMOS(DSMD)结构173
5.13 深亚微米Twin-Well CMOS(DSME)结构175
5.14 超深亚微米Twin-Well CMOS(VDSM)结构176
5.15 亚微米CMOS(SMB)工艺制程180
5.16 亚微米CMOS(SMC)工艺制程184
5.17 亚微米CMOS MASK ROM(SMA)工艺制程189
5.18 深亚微米CMOS(DSMB)工艺制程192
5.19 深亚微米CMOS(DSMC)工艺制程195
第6章 低压/高压兼容CMOS集成电路结构与制造技术200
6.1 低压/高压兼容P-Well CMOS(A)结构200
6.2 低压/高压兼容P-Well CMOS(B)结构202
6.3 低压/高压兼容P-Well CMOS(C)结构204
6.4 低压/高压兼容N-Well CMOS(A)结构206
6.5 低压/高压兼容N-Well CMOS(B)结构209
6.6 低压/高压兼容N-Well CMOS(C)结构211
6.7 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(A)结构213
6.8 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(B)结构215
6.9 低压/高压兼容Twin-Well CMOS(C)结构218
6.10 LV/HV兼容P-Well CMOS(B)工艺制程220
6.11 LV/HV兼容P-Well CMOS(B*)工艺制程225
6.12 LV/HV兼容N-Well CMOS(B)工艺制程229
6.13 LV/HV兼容N-Well CMOS(C)工艺制程232
6.14 LV/HV兼容Twin-Well CMOS(B)工艺制程238
第7章 BiCMOS集成电路结构与制造技术244
7.1 P-Well BiCMOS[C]-(A)结构244
7.2 P-Well BiCMOS[C]-(B)结构246
7.3 P-Well BiCMOS[B]-(A)结构248
7.4 P-Well BiCMOS[B]-(B)结构250
7.5 P-Well BiCMOS[B]-(C)结构252
7.6 P-Well BiCMOS[B]-(D)结构254
7.7 N-Well BiCMOS[C]-(A)结构256
7.8 N-Well BiCMOS[C]-(B)结构258
7.9 N-Well BiCMOS[B]-(A)结构261
7.10 N-Well BiCMOS[B]-(B)结构263
7.11 Twin-Well BiCMOS[C]结构265
7.12 Twin-Well BiCMOS[B]-(A)结构267
7.13 Twin-Well BiCMOS[B]-(B)结构269
7.14 Twin-Well BiCMOS[B]-(C)结构271
7.15 Twin-Well BiCMOS[B]-(D)结构273
7.16 Twin-Well BiCMOS[B]-(E)结构275
7.17 P-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程277
7.18 P-Well BiCMOS[B]-(D)工艺制程280
7.19 N-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程286
7.20 N-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程290
7.21 Twin-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程293
7.22 Twin-Well BiCMOS[B]-(D)工艺制程297
第8章 LV/HV兼容BiCMOS集成电路结构与制造技术303
8.1 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[C]-(A)结构303
8.2 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[C]-(B)结构305
8.3 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[B]-(A)结构307
8.4 低压/高压兼容P-Well BiCMOS[B]-(B)结构309
8.5 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[C]-(A)结构311
8.6 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[C]-(B)结构313
8.7 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[B]-(A)结构316
8.8 低压/高压兼容N-Well BiCMOS[B]-(B)结构318
8.9 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-(A)结构320
8.10 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-(B)结构322
8.11 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(A)结构324
8.12 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(B)结构326
8.13 低压/高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-(C)结构328
8.14 LV/HV P-Well BiCMOS[C]-(A)工艺制程330
8.15 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程333
8.16 LV/HV N-Well BiCMOS[C]-(B)工艺制程338
8.17 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-(B)工艺制程343
8.18 LV/HV Twin-Well BiCMOS[B]-(A)工艺制程346
8.19 LV/HV Twin-Well BiCMOS[B]-(B)工艺制程351
第9章 LV/HV兼容BCD集成电路结构与制造技术356
9.1 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(A)结构356
9.2 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(B)结构358
9.3 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(C)结构360
9.4 低压/高压兼容P-Well BCD[C]-(D)结构362
9.5 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(A)结构365
9.6 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(B)结构367
9.7 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(C)结构369
9.8 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(D)结构371
9.9 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(E)结构373
9.10 低压/高压兼容N-Well BCD[C]-(F)结构375
9.11 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A)结构377
9.12 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(B)结构379
9.13 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(C)结构381
9.14 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(D)结构383
9.15 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(E)结构385
9.16 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(F)结构387
9.17 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A1)结构389
9.18 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A2)结构391
9.19 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A3)结构393
9.20 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(A4)结构395
9.21 低压/高压兼容P-Well BCD[B]-(B*)结构397
9.22 低压/高压兼容Twin-Well BCD[C]结构399
9.23 低压/高压兼容Twin-Well BCD[B]结构401
9.24 LV/HV P-Well BCD[C]-(C)工艺制程403
9.25 LV/HV N-Well BCD[C]-(D)工艺制程407
9.26 LV/HV P-Well BCD[B]-(F)工艺制程410
9.27 LV/HV P-Well BCD[B]-(A3)工艺制程415
9.28 LV/HV P-Well BCD[B]-(B*)工艺制程419
9.29 LV/HV Twin-Well BCD[B]工艺制程423
附录Ⅰ 参考资料429
附录Ⅱ 术语缩写对照430
附录Ⅲ 简要提示434
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